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申请/专利权人:住友重机械离子科技株式会社
摘要:本发明涉及离子注入方法及离子注入装置,离子注入方法包括如下步骤:获取在沿着离子注入装置内的射束线传输包括高能量的第1离子种类的第1离子束时在离子注入装置内的规定位置测定的中子剂量率的测定值;判定测定值是否超过规定的阈值;在测定值超过规定的阈值的情况下,沿着射束线传输包括质量数大于第1离子种类的第2离子种类的第2离子束;及在传输第2离子束之后,将第1离子束沿着射束线传输并照射到晶片。
主权项:1.一种离子注入方法,其包括如下步骤:获取中子剂量率的第1测定值及中子剂量率的第1推断值中的至少一方,所述中子剂量率的第1测定值在沿着离子注入装置内的射束线传输包括高能量的第1离子种类的第1离子束时在所述离子注入装置内的规定位置进行测定,所述中子剂量率的第1推断值在假设沿着所述射束线传输所述第1离子束时在所述规定位置进行推断;判定所述第1测定值及第1推断值中的至少一方是否超过规定的阈值;在所述第1测定值及第1推断值中的至少一方超过所述规定的阈值的情况下,沿着所述射束线传输包括质量数大于所述第1离子种类的第2离子种类的第2离子束;及在传输所述第2离子束之后,将所述第1离子束沿着所述射束线传输并照射到晶片。
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