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申请/专利权人：无锡旷通半导体有限公司
摘要：本申请公开了一种多级沟槽半掩埋屏蔽SGTMOSFET器件，包括，衬底，所述衬底上制备硅外延层，所述硅外延片的表面推进有P型体区和有源区N型离子层，所述有源区N型离子层的深度大于P型体区；有源区沟槽，所述有源区沟槽开设于硅外延层上，且深度介于P型体区和有源区N型离子层之间；一级沟槽，所述一级沟槽开设于硅外延层上；二级沟槽，所述二级沟槽开设于硅外延层上，所述二级沟槽沿所述一级沟槽的侧壁开设，且所述二级沟槽的宽度大于一级沟槽、深度小于一级沟槽。本申请使用多次挖槽刻蚀技术实现多层级沟槽，在沟槽底部实现深注入的半包屏蔽隔离的离子注入层，减少芯片面积的同时实现优良的导通电阻与通流能力。
主权项：1.一种多级沟槽半掩埋屏蔽SGTMOSFET器件，其特征在于：包括，衬底，所述衬底上制备硅外延层，所述硅外延片的表面推进有P型体区和有源区N型离子层，所述有源区N型离子层的深度大于P型体区；有源区沟槽，所述有源区沟槽开设于硅外延层上，且深度介于P型体区和有源区N型离子层之间；一级沟槽，所述一级沟槽开设于硅外延层上；二级沟槽，所述二级沟槽开设于硅外延层上，所述二级沟槽沿所述一级沟槽的侧壁开设，且所述二级沟槽的宽度大于一级沟槽、深度小于一级沟槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡旷通半导体有限公司 多级沟槽半掩埋屏蔽SGTMOSFET器件及其制备工艺
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