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申请/专利权人：中国人民解放军空军工程大学
摘要：本发明公开一种等离子体鼓包调控入射激波边界层干扰的方法：针对入射激波边界层干扰相互作用机理，结合传统鼓包调控激波边界层的自身优势，将表面电弧放电设置在激波入射点位置，利用其产生的持续冲击波，代替传统鼓包，形成等离子体鼓包，利用等离子体鼓包调控激波边界层干扰问题的优势，降低局部逆压梯度，边界层提前再附，从而达到有效调控激波边界层干扰目的。另外，本发明既能够从根本上调控入射激波边界层干扰问题，又能够尽可能地减小鼓包所带来的持续的热防护和附加阻力问题。
主权项：1.一种等离子体鼓包调控入射激波边界层干扰的装置，其特征在于，具体如下：平板模型采用绝缘材料制成，平板前缘设计斜角；阶梯凹槽分为上凹槽和下凹槽，其短边对称轴距平板前缘保持一定距离，具体位置应根据实际入射点进行调整，上凹槽是靠近平板上表面的凹槽，用于装配激励器；下凹槽是靠近平板下表面的凹槽，为通槽，长度小于上表面，用于引出高压导线；阶梯凹槽关于平板模型展向对称轴对称；激波发生器位于平板上方，与平板模型在高度方向上保持一定距离，与平板模型前缘保持一定距离；在阶梯凹槽内安装激励器，激励器外部形状与阶梯凹槽完全相同，当激励器装入阶梯凹槽时，激励器上表面与平板模型上表面齐平；激励器包括沿展向均匀分布的阵列式多组放电电极，放电电极沿模型展向轴线对称安装，根据实际工况以及激波发生器角度，利用斜激波计算公式，确定激波入射点的位置，从而保证激励器安装位置与激波入射点位一致；激励器主体选用耐高温绝缘材料，激励器短边对称轴上布置多组圆柱阶梯孔，每组圆柱阶梯孔里设置一对放电激励；阶梯孔沿激励器表面垂直向内打孔加工，靠近激励器表面的小圆柱体孔，孔径小，用于装配钨电极；远离激励器表面的大圆柱体孔，孔径大，用于装配和引出高压电线；高压电线上端与钨电极下端相连，通过耐高温绝缘密封胶将高压电线和钨电极密封到阶梯孔中，装配后钨电极上端与激励器上表面齐平；最左侧电弧放电电极与电源的正极相连，最右侧电极与电源负极相连，其余等离子体放电电极按顺序依次在激励器下表面用高压电线两两相连。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军空军工程大学 一种等离子体鼓包调控入射激波/边界层干扰的方法
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