龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极电极，漏极电极的上端设置有导电衬底层，导电衬底层的上端设置有导电外延层，导电外延层的上端设置有特征沟槽，特征沟槽的下端开有两组磁场缓冲槽，两组磁场缓冲槽上均设置有两组磁场缓冲槽，导电外延层与特征沟槽之间共同设置有两个第二沟槽，导电外延层的上端两侧均设置有导电阱区。该集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET器件，能够降低栅介质中的电场强度，有效保护栅介质不被击穿，实现较低的导通压降和开关损耗，避免双极退化问题，以及降低制作成本的同时，能够增加器件光刻的精准度。
主权项：1.集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET器件，包括漏极电极1，其特征在于：所述漏极电极1的上端设置有导电衬底层2，所述导电衬底层2的上端设置有导电外延层3，所述导电外延层3的上端设置有特征沟槽5，所述特征沟槽5的下端开有两组磁场缓冲槽41，两组所述磁场缓冲槽41上均设置有两组磁场缓冲槽41，所述导电外延层3与特征沟槽5之间共同设置有两个第二沟槽8，所述导电外延层3的上端两侧均设置有导电阱区10，两个所述导电阱区10与导电外延层3之间均设置有第一沟槽9，且两个导电阱区10的上端均设置有导电源区11，所述导电源区11内设置有P－缓冲区和P+缓冲区，P－缓冲区和P+缓冲区内均设置有磁场缓冲槽41，所述特征沟槽5内设置有导电屏蔽层6，所述导电屏蔽层6内设置有栅极电极7，每个所述导电阱区10和导电源区11的上方共同设置有源极电极13。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号