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申请/专利权人：佳睿福钻石(河南)有限公司
摘要：本发明公开了一种100面立方体型金刚石生产工艺，具体包括如下工艺步骤：步骤一：准备基片：首先，以硅为基片材料，对基片表面进行清洁处理，去除杂质和污垢；步骤二：预处理基片：在基片表面涂覆一层稳定的催化剂；步骤三：加载基片：将清洁处理过的基片放置于反应室中，并固定好位置，同时对反应室进行真空抽气。该100面立方体型金刚石生产工艺，通过利用CVD技术，通过在反应室中提供高纯度的气态物质，使用加热的衬底作为碳源，使有机分子分解并沉积在衬底上，形成金刚石晶体。相比于高温高压技术制备成本较低，同时通过精确控制掺杂元素气体的种类和浓度，以确保金刚石具有预定理想的半导体性能。
主权项：1.一种100面立方体型半导体金刚石生产工艺，其特征在于，具体包括如下工艺步骤：步骤一：准备基片：首先，以硅为基片材料，对基片表面进行清洁处理，去除杂质和污垢；步骤二：预处理基片：在基片表面涂覆一层稳定的催化剂；步骤三：加载基片：将清洁处理过的基片放置于反应室中，并固定好位置，同时对反应室进行真空抽气；步骤四：预热反应室：提高反应室温度，使其达到预定的反应温度；步骤五：引入反应气体：在预定的温度下，将反应气体通过密封通道引入反应室中；步骤六：薄膜沉积：等步骤五气体与基片表面反应的产物发生聚集并沉积到基片表面上，形成所需的薄膜；步骤七：冷却与取出：反应完成后，将反应室冷却至室温，冷却完成后，取出基片，进行预处理和测试得到初产品；步骤八：对所述初产品表层部分进行加工，在形成金刚石100面单晶基板的截面垂直的方向上，观测形成平行延伸的金刚石矩形状即可。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 佳睿福钻石(河南)有限公司 一种100面立方体型金刚石生产工艺
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