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申请/专利权人：朗姆研究公司
摘要：公开了使用等离子体增强原子层沉积PEALD在孔洞和沟槽结构中形成气隙的方法。该方法可用于形成埋藏式空隙，即顶部低于相邻特征顶部的空隙。在一些实施方案中，该方法用于减少半导体设备中的层内电容。
主权项：1.一种方法，其包括：提供包括特征和在所述特征之间的开放间隙的结构，所述开放间隙包括侧壁和底表面；以及执行多个等离子体增强原子层沉积PEALD循环，每个循环包括：a暴露所述结构于一定剂量的含硅前体让所述含硅前体吸附在所述开放间隙的侧壁和底表面上；以及b将被吸附的所述含硅前体暴露于由包括共反应物和一种或多种稀释气体的工艺气体产生的等离子体，以使所述共反应物与被吸附的所述含硅前体反应并形成介电材料，其中所述介电材料优先在所述开放间隙的顶部附近形成，其中所述一种或多种稀释气体比所述共反应物的体积流速比为至少5：1。
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百度查询： 朗姆研究公司 半导体设备中电容的降低
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