龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
摘要：本发明公开了一种直接在硅衬底上生长石墨烯的方法，属于材料制备技术领域。具体步骤包括：首先将硅片放置在刚玉板上，然后在气流上游的位置放置金属催化剂，将放置好金属催化剂和样品的石英套管放入管式炉中部位置，通入保护性气体和甲烷，利用金属催化剂远程催化帮助碳源裂解，使得裂解后的碳前驱体跟随载气到达目标衬底上方，直接在硅衬底上形核生长。本发明可以避免金属催化剂掺杂、省去金属催化剂刻蚀去除等步骤，简化工艺，减少缺陷产生；同时通过压力、气氛分压、气体流量、金属催化剂种类、金属催化剂位置的调节，可以在硅衬底上可控生长出不同尺寸、不同形貌、不同厚度的石墨烯，满足不同领域的需求。
主权项：1.一种直接在硅衬底上生长石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步骤：将清洗后的硅衬底与金属催化剂以1-106：1的质量比置于900-1400℃、0.001-1atm下催化反应0.1-100h，随后降至室温，得到石墨烯薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 一种直接在硅衬底上生长石墨烯的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号