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申请/专利权人:浙江汇隆晶片技术有限公司
摘要:本发明涉及音叉晶片制造技术领域,特别是涉及半导体制造技术、精密加工技术的交叉领域,本发明提供了一种聚焦光刻音叉晶片及其制备工艺,该工艺包括原材料准备、晶圆上料、外形刻蚀、镀膜处理、振动臂凹槽加工、电极图案制作、频率微调、晶片分离以及质量控制和追溯等步骤。其核心创新在于采用了改进型激光加工设备,该设备具有双工位运动平台、可精确调节的激光发生器和高精度采集相机。这种设计实现了并行处理,即一个工作位进行激光刻蚀,同时另一个工作位进行路径扫描,大幅提高了加工效率。该工艺方法和设备的创新不仅显著提高了音叉晶片的生产效率和质量,还增强了制造过程的可控性和灵活性,为音叉晶片技术的进一步发展奠定了基础。
主权项:1.一种音叉晶片制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:a原材料准备和预处理,包括选择高品质石英晶圆片、超声波清洗和等离子体处理;b将处理好的晶圆片装载到晶圆盒中;c使用改进型激光加工设备进行外形刻蚀,该设备包括:双工位运动平台,具有两个可在X、Y、θ轴同步移动和锁定的运动平台;设置在双工位运动平台上方的激光发生器,可在Z轴方向上精确调节;两个高精度采集相机,对称固定在激光发生器的一侧,拍摄焦点与激光发生器的光束聚焦点的间距与双工位运动平台中两个平台间距一致;d镀膜处理;e振动臂凹槽加工;f电极图案制作;g频率微调;h晶片分离;i质量控制和追溯;其中,步骤e、f和g采用相同的工作流程:一个工作位进行激光刻蚀,同时另一个工作位进行路径扫描,处理完成的晶圆片返回晶圆盒,新晶圆片装入空置工作位;且仅对第一片晶圆进行全方位扫描定位,对后续晶圆,系统利用第一片的运动轨迹,同步地将运动轨迹在计算机中重合到实时扫描状况,通过分析偏移快速计算出精确的XY平移和θ轴旋转的定位调整参数。
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