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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院;北京大学

摘要：本发明公开一种基于双晶体管存储阵列的数据排序办法，属于微纳电子学技术领域。本发明采用两个双晶体管存储阵列和外围电路，将要排序的若干数值映射为写字线电平，依次写入不同的双晶体管存储阵列中的存储单元中，利用双晶体管存储单元的特性，得到待排序序列从大到小的排序结果。本发明可以有效减少排序数据与处理器之间的数据传输，有望进一步提升边缘大规模数据排序工作的能效。

主权项：1.一种基于双晶体管存储阵列的数据排序办法，其特征在于，包括两个双晶体管存储阵列和外围电路，所述双晶体管存储阵列的存储单元由相互串联的两个晶体管组成，所述晶体管包括栅电极、栅介质、氧化物半导体与源、漏电极，所述外围电路部分包括比较器、开关电路和重置电路，所述比较器对输入该比较器的两个电平进行同或运算，所述开关电路对电路执行导通或接地操作，具体数据排序步骤包括如下：1将待排序的数值序列转化为电平序列，分别写入到第一双晶体管存储阵列的每个存储单元中，第一双晶体管存储阵列输出的数据同时输入到比较器和开关电路的第一输入端；2将排序前得到的最大电平值输入第二双晶体管存储阵列中的一个存储单元；3依次读取存储在第一双晶体管存储阵列中的每个数据，同时重复读取存储在第二双晶体管存储阵列中存储单元中的数据，将上述两个数据分别输入到所述比较器中，当数据大小相同时，所述比较器输出高电平，当数据大小不同时，所述比较器输出低电平；4所述比较器的输出端连接到开关电路的第二输入端，当比较器输出为高电平时，开关电路使电路接地，此时开关电路不输出任何电平，视为输出值为0，当比较器输出为低电平时，开关电路使电路连通，此时开关电路的输出数据为开关电路第一输入端输入的数据，该数据写入到第二双晶体管存储阵列中的一个存储单元中；5比较器的输出同时输入到重置电路，当比较器输出为高电平时，重置电路对第一双晶体管存储阵列中对应的存储单元进行放电；当比较器输出为低电平时，重置电路不工作，保持第一双晶体管存储阵列中对应的存储单元数据不变；6在第一双晶体管存储阵列中的所有数据都被读取后，第二存储阵列中的存储单元在输入若干大小不同的数据后，自动存储最大值作为存储值，该最大值为需要排序的电平序列中的最大值；7重复步骤2-6，对已经去掉最大值的需要排序的电平序列进行操作，依次寻找新的最大值；得到待排序序列从大到小的排序结果。

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