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申请/专利权人：南京邮电大学
摘要：本发明公开了一种制备基于氧化锌氧化铪射频开关及其制备方法，射频开关以硅基晶片为载体，以金属铂和金属银作为射频开关器件的电极层，用以二硫化钼和氧化锌作为阻变材料，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、镍层、铂层、二硫化钼层、氧化锌层、银层、氮化钛层、镍层、铜层。本发明在硅衬底上利用光刻工艺和PVD磁控溅射镀膜工艺制备射频开关，制备方法工艺简单，成本低。制备的射频开关具有优异的性能和良好的应用前景。
主权项：1.一种基于氧化锌氧化铪射频开关，其特征在于，该射频开关以硅基晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层（1）、氮化铝层（2）、镍层（3）铂层（4）、二硫化钼层氧化锌量子点层（5）、氧化锌层氧化铪层（6）、银层（7）、氮化钛层（8）、镍层（9）、铜层（10）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 一种制备基于氧化锌/氧化铪射频开关及其制备方法
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