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申请/专利权人：杭州镓仁半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种氧化镓晶锭无损检测评估方法，属于半导体材料测试技术领域。本发明提供了一种氧化镓晶锭无损检测评估方法，包括以下步骤：对氧化镓晶锭进行激光脉冲面扫，获得晶锭的光强分布；所述激光脉冲面扫的波长为400～1000nm；通过所述晶锭的光强分布，确认所述氧化镓晶锭的缺陷位置分布；根据所述缺陷位置分布，进行区域分级。本发明避免了氧化镓晶体切片以后再检测的报废和无效加工，通过激光检测，按照检测结果对晶锭进行区域分级，实现晶锭无损检测，提高晶锭的利用率，再进入加工流程，这样会避开缺陷部位，增加晶锭的出片率。
主权项：1.一种氧化镓晶锭无损检测评估方法，其特征在于，包括以下步骤：对氧化镓晶锭进行激光脉冲面扫，获得晶锭的光强分布；所述激光脉冲面扫的波长为400～1000nm；通过所述晶锭的光强分布，确认所述氧化镓晶锭的缺陷位置分布；根据所述缺陷位置分布，进行区域分级。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州镓仁半导体有限公司 一种氧化镓晶锭无损检测评估方法
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