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申请/专利权人:中国电力科学研究院有限公司
摘要:本发明公开了一种对继电保护设备进行单粒子效应测试的方法及装置。其中,方法包括:确定待测试继电保护设备的单比特变位存储单元板卡;进行时序逻辑测试,确定待测试继电保护设备的时序逻辑测试结果;进行置位测试,确定待测试继电保护设备的第一置位方案;对单比特变位存储单元板卡的典型存储单元进行置位测试,确定待测试继电保护设备的第二置位方案;根据第一置位方案以及第二置位方案分别对待测试继电保护设备进行测试,确定待测试继电保护设备的置位测试结果;根据时序逻辑测试结果以及置位测试结果,确定待测试继电保护设备的软错误风险点。
主权项:1.一种对继电保护设备进行单粒子效应测试的方法,其特征在于,包括:分析待测试继电保护设备单粒子效应的影响范围及影响效果,确定所述待测试继电保护设备的单比特变位存储单元板卡;根据所述单比特变位存储单元板卡对所述待测试继电保护设备进行时序逻辑测试,确定所述待测试继电保护设备的时序逻辑测试结果;对所述单比特变位存储单元板卡中直接引起动作出口的全部逻辑的存储单位进行置位测试,确定所述待测试继电保护设备的第一置位方案;对所述单比特变位存储单元板卡的典型存储单元进行置位测试,确定所述待测试继电保护设备的第二置位方案;根据所述第一置位方案以及所述第二置位方案分别对所述待测试继电保护设备进行测试,确定所述待测试继电保护设备的置位测试结果;根据所述时序逻辑测试结果以及所述置位测试结果,确定所述待测试继电保护设备的软错误风险点。
全文数据:
权利要求:
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