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申请/专利权人：江西萨瑞半导体技术有限公司
摘要：本发明提供一种缓启动功率MOS晶体管及其制备方法，通过设置于N型外延层中的第一沟槽和与第一沟槽间隔的第二沟槽；第一沟槽的表面沉积有第一氧化层，第一氧化层形成的沟槽内填充有栅极多晶硅，第一沟槽远离第二沟槽一侧的N型外延层中，沿第一沟槽的深度方向上，依次设置有第一N型子层和第一P型子层，第一N型子层的掺杂浓度高于N型外延层的掺杂浓度；第二沟槽的表面沉积有第二氧化层，第二氧化层形成的沟槽内填充有电容多晶硅，电容多晶硅沿第二沟槽的深度方向上，依次设置有第二N型子层和第二P型子层，第一N型子层与第二N型子层的掺杂浓度相同；其中，第二沟槽的深度大于第一沟槽的深度，以增大其米勒电容，延长米勒平台持续时间。
主权项：1.一种缓启动功率MOS晶体管，其特征在于，当MOS晶体管为TrenchNMOS晶体管时，MOS晶体管包括设置于N型外延层中的第一沟槽和与所述第一沟槽间隔的第二沟槽；所述第一沟槽的表面沉积有第一氧化层，所述第一氧化层形成的沟槽内填充有栅极多晶硅，所述第一沟槽远离所述第二沟槽一侧的N型外延层中，沿所述第一沟槽的深度方向上，依次设置有第一N型子层和第一P型子层，所述第一N型子层的掺杂浓度高于所述N型外延层的掺杂浓度；所述第二沟槽的侧面沉积有第二氧化层，所述第二沟槽的底面部分裸露，所述第二氧化层形成的沟槽内填充有电容多晶硅，所述电容多晶硅沿所述第二沟槽的深度方向上，依次设置有第二N型子层和第二P型子层，所述第一N型子层与所述第二N型子层的掺杂浓度相同；其中，所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度；当MOS晶体管为TrenchPMOS晶体管时，通过将所述TrenchNMOS晶体管中所有掺杂反型即得。
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