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申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司

摘要：一种半导体器件可包括多个晶体管110，其中低电阻材料的第一阵列204,206形成于第一电介质层216中，其中该第一阵列的栅极子集204形成于该晶体管的多个栅极电极202上，并且该第一阵列的源极子集206形成于该晶体管的多个源极区域212上。低电阻材料的第二阵列205,207可形成于第二电介质层220中，其中该第二阵列的栅极子集205形成于该第一阵列的该栅极子集204上并由此电连接到该多个栅极电极202，并且该第二阵列的源极子集207形成于该第一阵列的该源极子集206上并由此电连接到该多个源极区域212。一种半导体器件可包括多个晶体管110，其中低电阻材料的第一阵列204,206形成于第一电介质层216中，其中该第一阵列的栅极子集204形成于该晶体管的多个栅极电极202上，并且该第一阵列的源极子集206形成于该晶体管的多个源极区域212上。低电阻材料的第二阵列205,207可形成于第二电介质层220中，其中该第二阵列的栅极子集205形成于该第一阵列的该栅极子集204上并由此电连接到该多个栅极电极202，并且该第二阵列的源极子集207形成于该第一阵列的该源极子集206上并由此电连接到该多个源极区域212。

主权项：1.一种半导体器件，包括：多个晶体管110，所述多个晶体管包括多个源极区域212和多个栅极电极202；第一电介质层216，所述第一电介质层形成于所述多个源极区域212和所述多个栅极电极202上；低电阻材料的第一阵列204,206，低电阻材料的所述第一阵列形成于所述第一电介质层中，其中所述第一阵列的栅极子集204形成于所述多个栅极电极上，并且所述第一阵列的源极子集206形成于所述多个源极区域上；第二电介质层220，所述第二电介质层形成于所述第一电介质层216和所述第一阵列204,206上；低电阻材料的第二阵列205,207，低电阻材料的所述第二阵列形成于所述第二电介质层中，其中所述第二阵列的栅极子集205形成于所述第一阵列的栅极子集204上并由此电连接到所述多个栅极电极202，并且所述第二阵列的源极子集207形成于所述第一阵列的源极子集206上并由此电连接到所述多个源极区域212；栅极焊盘金属140，所述栅极焊盘金属形成于所述第二电介质层220上并且电连接到所述第二阵列的栅极子集205；和源极焊盘金属304，所述源极焊盘金属形成于所述第二电介质层220上并且电连接到所述第二阵列的源极子集207。

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