龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：塞米拉布半导体物理实验室有限公司
摘要：表征宽带隙半导体样品中的半导体掺杂的方法包括：在黑暗中测量半导体样品的表面的区域处的表面电压的初始值V0；通过在区域处沉积规定的电晕电荷，在黑暗中将区域充电至深度耗尽；在充电之后在黑暗中测量区域处的表面电压值；用特定光子通量feff的光照射充电区域，特定光子通量feff具有足以在半导体样品中产生自由少数载流子从而引起电晕电荷的光中和的高于半导体带隙的光子能量；使用表面电压Vt的非接触时间分辨测量来监测区域处的光中和诱导的电晕电荷衰减与照射时间t的关系；分析监测的时间分辨表面电压衰减数据Vt以确定光中和时间常数τph；以及使用特定光子通量feff下的光中和时间常数τph作为半导体掺杂指数，并基于其值表征该区域处的半导体掺杂浓度。
主权项：1.一种表征宽带隙半导体样品中的半导体掺杂的方法，所述方法包括：在黑暗中测量所述半导体样品的表面的区域处的表面电压的初始值V0；通过在所述区域处沉积规定的电晕电荷，在黑暗中将所述区域充电至深度耗尽；在充电之后在黑暗中测量所述区域处的表面电压值；用特定光子通量φeff的光照射充电的区域，所述特定光子通量φeff具有足以在所述半导体样品中产生自由少数载流子从而引起所述电晕电荷的光中和的高于所述半导体带隙的光子能量；使用表面电压Vt的非接触时间分辨测量来监测在所述区域处的光中和诱导的电晕电荷衰减与照射时间t的关系；分析监测的时间分辨表面电压衰减数据Vt以确定光中和时间常数τph；以及使用特定光子通量φeff下的所述光中和时间常数τph作为半导体掺杂指数，并基于其值表征所述区域处的半导体掺杂浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 塞米拉布半导体物理实验室有限公司 利用电晕表面电荷的光中和时间常数表征半导体掺杂的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号