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申请/专利权人：住友重机械离子科技株式会社
摘要：一种离子注入装置及离子注入方法。控制装置在获取了晶片处理面内的二维不均匀剂量分布的目标值时，生成根据在晶片处理面内在第2方向上不同的多个位置上的第1方向的一维剂量分布而规定的多个聚合函数和将二维不均匀剂量分布的所述目标值与多个聚合函数建立对应关联的相关信息。控制装置计算出模拟了基于多个聚合函数及相关信息的离子注入时的晶片处理面内的二维不均匀剂量分布的推断值，并修正多个聚合函数，以使推断值与目标值相似，由此生成多个校正函数。控制装置根据多个校正函数及相关信息来改变第1方向的射束扫描速度及第2方向的晶片扫描速度，并向晶片处理面注入与目标值相似的二维不均匀剂量分布的离子。
主权项：1.一种离子注入装置，其特征在于，具备：射束生成装置，生成离子束；射束扫描仪，使所述离子束沿第1方向往复扫描；压板驱动装置，一边保持晶片以使所述往复扫描的离子束照射到晶片处理面，一边使所述晶片沿与所述第1方向正交的第2方向往复扫描；及控制装置，根据在所述晶片处理面内照射所述离子束的所述第1方向及所述第2方向的射束照射位置来改变所述第1方向的射束扫描速度及所述第2方向的晶片扫描速度，以使所期望的二维不均匀剂量分布的离子注入到所述晶片处理面，所述控制装置在获取了所述晶片处理面内的二维不均匀剂量分布的目标值时，生成根据在所述晶片处理面内在所述第2方向上不同的多个位置上的所述第1方向的一维剂量分布而规定的多个聚合函数和将所述二维不均匀剂量分布的所述目标值与所述多个聚合函数建立对应关联的相关信息，所述控制装置计算出模拟了基于所述多个聚合函数及所述相关信息的离子注入时的所述晶片处理面内的二维不均匀剂量分布的推断值，并修正所述多个聚合函数，以使所述推断值与所述目标值相似，由此生成多个校正函数，所述控制装置根据所述多个校正函数及所述相关信息来改变所述第1方向的射束扫描速度及所述第2方向的晶片扫描速度，并向所述晶片处理面注入与所述目标值相似的二维不均匀剂量分布的离子。
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百度查询： 住友重机械离子科技株式会社 离子注入装置及离子注入方法
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