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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本申请实施例涉及用于互连方案的方法。一种制造半导体装置的方法，所述方法包含：形成第一电介质层于衬底上；形成第一沟槽于所述第一电介质层中；形成金属线于所述第一沟槽中；去除所述金属线的第一部分以形成第二沟槽，并去除所述金属线的第二部分以形成第三沟槽；所述金属线的第三部分安置在所述第二沟槽与所述第三沟槽之间。所述方法还包含形成第二电介质层于所述第二沟槽和所述第三沟槽内。
主权项：1.一种用于互连方案的方法，其包括：形成第一电介质层于衬底上；形成第一沟槽于所述第一电介质层中；形成金属线于所述第一沟槽中；于所述金属线上形成具有第一开口和第二开口的硬掩模以分别暴露所述金属线的第一部分和第二部分，其中所述第一电介质层的一部分暴露在所述第一开口和所述第二开口内；去除所述金属线的所述第一部分以形成第二沟槽，并去除所述金属线的所述第二部分以形成第三沟槽，其中所述金属线的第三部分安置在所述第二沟槽与所述第三沟槽之间，其中在去除所述金属线的所述第一部分和所述第二部分期间不实质上蚀刻所述第一电介质层的所述部分；以及形成第二电介质层于所述第二沟槽和所述第三沟槽内和所述金属线的第三部分上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 用于互连方案的方法
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