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申请/专利权人：苏州矩阵光电有限公司
摘要：本发明的实施例公开了集成式霍尔磁传感器及其制造方法。所述集成式霍尔磁传感器包括引线框架；至少两个霍尔元件芯片，所述至少两个霍尔元件芯片设置在引线框架上，并且所述至少两个霍尔元件芯片上下叠置在一起；磁轭，所述磁轭设置在所述至少两个霍尔元件芯片中的顶部霍尔元件芯片的中心，其中所述至少两个霍尔元件芯片串联连接在一起以形成所述集成式霍尔磁传感器。本发明属于半导体技术领域。所述集成式霍尔磁传感器具有高灵敏度或超高灵敏度，通过叠置至少一个霍尔芯片于另一个霍尔芯片上大幅提高了封装集成度并提高了霍尔器件输出。
主权项：1.一种集成式霍尔磁传感器，包括：引线框架；至少两个霍尔元件芯片，所述至少两个霍尔元件芯片设置在引线框架上，并且所述至少两个霍尔元件芯片上下叠置在一起；磁轭，所述磁轭设置在所述至少两个霍尔元件芯片中的顶部霍尔元件芯片的中心，其中所述至少两个霍尔元件芯片串联连接在一起以形成所述集成式霍尔磁传感器；第一霍尔元件芯片包括第一聚磁基板、第一磁感应部和第一电极部；第二霍尔元件芯片包括第二聚磁基板、第二磁感应部和第二电极部；通过第二霍尔元件芯片的聚磁基板作为第一霍尔元件芯片的顶部聚磁材料并同时感应磁场，将第一霍尔元件芯片和第二霍尔元件芯片的输入串联或并联。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州矩阵光电有限公司 集成式霍尔磁传感器及其制造方法
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