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申请/专利权人：潍坊星泰克微电子材料有限公司
摘要：本发明提供了一种负性光刻胶组合物、制备方法及应用和形成光刻胶图案的方法，具体涉及光刻胶技术领域。该负性光刻胶组合物包括高硅树脂和光敏产酸剂。高硅树脂和光敏产酸剂的质量比为10‑70:0.5‑10。本发明提供的负性光刻胶组合物，使用具有良好化学稳定性以及绝缘性能的高硅树脂，能够降低负性光刻胶组合物的介电常数，介电常数低至2.8‑3.2，能够满足封装工艺的绝缘性要求，可以提高封装效率和效果，打破国外垄断，降低生产成本。
主权项：1.一种负性光刻胶组合物，其特征在于，包括质量比为10-70:0.5-10高硅树脂和光敏产酸剂；所述高硅树脂的结构式为： ；其中，n为大于1的整数；所述高硅树脂的分子量为1000-10000。
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权利要求：
百度查询： 潍坊星泰克微电子材料有限公司 负性光刻胶组合物、制备方法及形成光刻胶图案的方法
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