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基于SiC模块并联应用的三电平单相桥臂叠层母排结构布局 

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申请/专利权人:浙江大学

摘要:本发明公开了一种基于SiC模块并联应用的三电平单相桥臂叠层母排结构布局。包括叠层母排、碳化硅半桥模块、上支撑电容组及下支撑电容组,所述碳化硅半桥模块包括并联左支路功率模块和并联右支路功率模块,分别位于叠层母排的左半部分和右半部分;所述上支撑电容组和下支撑电容组并联在直流电源的正负极两端。所述叠层母排连接并联左支路功率模块、并联右支路功率模块和支撑电容组分别构成上桥臂短换流回路、上桥臂长换流回路、下桥臂短换流回路和下桥臂长换流回路。本发明的叠层母排结构不仅能够降低各个瞬态换流回路的寄生电感,同时也能减小并联支路寄生电感的不对称性,实现对称性布局,有利于高压碳化硅模块的并联。

主权项:1.基于SiC模块并联应用的三电平单相桥臂叠层母排结构布局,其特征在于:包括叠层母排,以及碳化硅半桥模块,包括并联左支路功率模块和并联右支路功率模块,分别位于叠层母排的左半部分和右半部分;所述并联左支路功率模块包括第一上半桥模块T1、第一下半桥模块T2和第一中间半桥模块T3;所述并联右支路功率模块包括第二上半桥模块T4、第二下半桥模块T5和第二中间半桥模块T6;以及上支撑电容组C1及下支撑电容组C2,所述上支撑电容组C1和下支撑电容组C2串联后组成直流母线支撑电容,并联在直流电源的正负极两端;所述第一上半桥模块T1和第二上半桥模块T4并联在上支撑电容组C1两端;所述第一下半桥模块T2和第二下半桥模块T5并联在下支撑电容组C2两端;所述第一中间半桥模块T3和第二中间半桥模块T6与第一上半桥模块T1和第二上半桥模块T4的中点输出端口以及第一下半桥模块T2和第二下半桥模块T5的中点输出端口相连接;所述叠层母排连接并联左支路功率模块、并联右支路功率模块、上支撑电容组C1和下支撑电容组C2分别构成上桥臂短换流回路、上桥臂长换流回路、下桥臂短换流回路和下桥臂长换流回路;所述叠层母排具有三层,第一层包括并列放置的正母排P和中间负母排Y;第二层是零母排O;第三层包括并列放置的负母排N和中间正母排X;所述正母排P的左右两侧有引出的正极端口;所述零母排O的四角均有引出的中点端口;所述负母排N的左右两侧有引出的负极端口;所述正母排P连接上支撑电容组C1的正极端口、第一上半桥模块T1和第二上半桥模块T4的正端口;所述中间负母排Y连接第一下半桥模块T2和第二下半桥模块T5的中点端口、以及第一中间半桥模块T3和第二中间半桥模块T6的负端口;所述零母排O连接上支撑电容组C1的负极端口、下支撑电容组C2的正极端口、第一上半桥模块T1和第二上半桥模块T4的负端口、以及第一下半桥模块T2和第二下半桥模块T5的正端口;所述负母排N连接下支撑电容组C2的负极端口、第一下半桥模块T2和第二下半桥模块T5的负端口;所述中间正母排X连接第一上半桥模块T1和第二上半桥模块T4的中点端口、以及第一中间半桥模块T3和第二中间半桥模块T6的正端口。

全文数据:

权利要求:

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