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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：为了解决现有技术中竖直型纳米空气沟道晶体管的栅极电压高的技术问题，本发明提出了一种纳米空气沟道晶体管，晶体管包括：阳极，阳极设有阳极支点；栅极，栅极的第一侧与阳极支点连接，栅极的第二侧设有栅极支点；阴极，阴极与栅极支点连接，阴极的靠近栅极的一侧设有第一凸起。当本发明中的器件工作时，可在阴极上施加负偏压，在栅极和阳极上施加正偏压。当电压达到一定程度的大小时，阴极表面上发射出的电子通过栅极中的网孔到达阳极，产生电流。通过调节栅极电压和阳极电压可以改变电流的大小。由于栅极距离阴极距离更近，栅极电压对电流大小的影响要远大于阳极电压对电流大小的影响。阴极表面的第一凸起可以促进电子发射，降低工作电压。
主权项：1.一种纳米空气沟道晶体管，其特征在于，包括：阳极8，所述阳极8设有阳极支点7；栅极4，所述栅极4的第一侧与所述阳极支点7连接，所述栅极4的第二侧设有栅极支点2；阴极1，所述阴极1与所述栅极支点2连接，所述阴极1的靠近所述栅极4的一侧设有多个第一凸起9；所述第一凸起9均匀分布在阴极1表面，用于促进电子发射，降低器件的工作电压；其中，栅极4上表面到阳极8下表面的距离大于栅极4下表面到阴极1上表面的距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种纳米空气沟道晶体管
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