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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种三维闪存器件及其制备方法，包括衬底、有源结构层、栅极结构及电极线结构，所述有源结构层包括交错设置的多个第一条状结构和至少两个第二条状结构，第一条状结构和第二条状结构均包括垂直于衬底表面间隔堆叠的多个有源层，且第二条状结构一侧的阶梯结构中的多个所述有源层的长度由下至上逐渐减小，栅极结构横跨所述第一条状结构，填充所述有源层之间的间隔空隙并环绕所述有源层，电极线结构包括平行于所述衬底的表面设置的多条字线、多条选择线、多条位线及多条公共源极线。本发明提供的三维闪存器件中有源结构层垂直于衬底的表面堆叠设置，且位线、选择栅、控制栅及公共源极线均平行于衬底的表面设置，降低了闪存器件集成的难度。
主权项：1.一种三维闪存器件，其特征在于，包括：衬底，有源结构层，位于所述衬底上，包括多个第一条状结构和至少两个第二条状结构，所述第一条状结构向Y方向延伸且沿X方向间隔排列，所述第二条状结构向X方向延伸且沿Y方向间隔排列，所述第二条状结构与所述第一条状结构交错且位于所述第一条状结构的外侧，所述第一条状结构和所述第二条状结构均包括垂直于所述衬底表面间隔堆叠的多个有源层，且所述第二条状结构的一端设置有阶梯结构，所述阶梯结构中的多个所述有源层的长度由下至上逐渐减小呈阶梯状；栅极结构，位于所述衬底上，包括间隔且平行排列的多个控制栅和多个选择栅，所述控制栅和和所述选择栅均横跨所述第一条状结构，填充所述有源层之间的间隔空隙并环绕所述有源层；电极线结构，平行于所述衬底的表面设置，包括多条字线、多条选择线、多条位线及多条公共源极线，多条所述字线对应连接多个所述控制栅；多条所述选择线对应连接多个所述选择栅；多条所述位线对应连接相邻所述选择栅之间所述有源层；多条公共源极线对应连接所述阶梯结构上的多个所述有源层。
全文数据：
权利要求：
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