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申请/专利权人：拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
摘要：本实用新型提供了一种陶瓷环、一种工艺腔室及一种薄膜沉积设备。所述陶瓷环包括下层、中层及上层。所述下层设有朝向晶圆传片方向的开口。所述中层具有全封闭的陶瓷侧壁。所述上层的周向设有多个抽气孔。本实用新型可以用于提高待加工晶圆进入工艺腔室的传片通道处的温度，进而控制腔内的温度均匀分布，并避免硬件滑动摩擦带来的传片风险和微小颗粒污染风险，以提升晶圆的成膜质量。
主权项：1.一种陶瓷环，其特征在于，包括：下层，设有朝向晶圆传片方向的开口；中层，具有全封闭的陶瓷侧壁；以及上层，其周向设有多个抽气孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 陶瓷环、工艺腔室及薄膜沉积设备
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