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申请/专利权人：瑞萨电子株式会社
摘要：本公开的各实施例涉及半导体器件。半导体器件包括分别经由栅极绝缘膜GI形成在一对沟槽TR内部的一对栅极电极GE。一对列区PC在Y方向上彼此间隔开。一对沟槽TR在Y方向上彼此分开地设置，并且在Y方向上设置在一对列区PC之间，并且在X方向上延伸。一对沟槽TR在X方向上的端部通过在Y方向上延伸的连接部TRa彼此连接。连接部TRa与一对沟槽TR集成。一对列区PC沿一对沟槽TR在X方向上延伸，并且在X方向上朝向半导体衬底的外边缘延伸超出连接部TRa。
主权项：1.一种半导体器件，包括多个单位单元，所述多个单位单元形成在具有上表面和下表面的第一导电类型的半导体衬底中，其中所述多个单位单元中的每个单位单元具有：第二导电类型的体区，形成在所述半导体衬底中比所述下表面更靠近所述上表面的位置处，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；所述第一导电类型的源极区，形成在所述体区中；所述第二导电类型的一对列区，形成在所述半导体衬底中的所述体区下方；一对沟槽，形成在所述半导体衬底中，以便穿过所述源极区和所述体区，并且到达距所述半导体衬底的所述上表面的预定深度；以及一对栅极电极，分别经由栅极绝缘膜形成在所述一对沟槽内部，其中在平面视图中所述一对列区在第一方向上彼此分开地设置，其中所述一对沟槽在所述第一方向上彼此分开地设置，在所述第一方向上设置在所述一对列区之间，并且在平面视图中在与所述第一方向正交的第二方向上延伸，其中所述一对沟槽的相应沟槽在第二方向上的边缘通过在所述第一方向上延伸的连接部彼此连接，其中所述连接部与所述一对沟槽集成，并且其中所述一对列区沿所述一对沟槽在所述第二方向上延伸，并且在所述第二方向上朝向所述半导体衬底的外边缘延伸超出所述连接部。
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