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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

摘要：公开了一种半导体模块布置，包括：衬底，其包括电介质绝缘层和布置在电介质绝缘层的表面上的第一金属化层，其中，第一金属化层包括第一部分、第二部分和第三部分；以及布置在第一金属化层上的第一半导体本体和相同的第二半导体本体，其中，第一半导体本体和第二半导体体中的每一个具有布置在相应的半导体本体的背向衬底的顶侧上的第一接触盘、第二接触盘和第三接触盘，其中，第一半导体本体的第三接触盘通过第一电连接元件电耦接至第一金属化层的第三部分，第二半导体本体的第三接触盘通过第二电连接元件电耦接至第一金属化层的第三部分，半导体模块布置还包括布置在第三部分上的至少一个第三端子元件。

主权项：1.一种半导体模块布置，包括：衬底10，其包括介电绝缘层11和布置在所述介电绝缘层11的表面上的第一金属化层111，其中，所述第一金属化层111包括第一部分1111、第二部分1112和第三部分1113、11131；以及布置在所述第一金属化层111上的第一半导体本体201和相同的第二半导体本体202，其中，所述第一半导体本体201和所述第二半导体本体202中的每一个具有布置在相应的半导体本体201、202的背向所述衬底10的顶侧上的第一接触盘211、221、第二接触盘212、222和第三接触盘213、223，其中，所述第一半导体本体201的第三接触盘213通过第一电连接元件321电耦接至所述第一金属化层111的第三部分1113、11131，所述第二半导体本体202的第三接触盘223通过第二电连接元件322电耦接至所述第一金属化层111的第三部分1113、11131，所述半导体模块布置还包括布置在所述第三部分1113、11131上的至少一个第三端子元件403、4031，所述第一半导体本体201的第三接触盘213与所述至少一个第三端子元件403、4031之间的第一电流路径8021提供和所述第二半导体本体202的第三接触盘223与所述至少一个第三端子元件403、4031之间的第二电流路径8022相同的电压和电流传输特性，并且所述第一电连接元件321和所述第二电连接元件322中的每一个包括一个或更多个接合线、一个或更多个接合带、连接轨道、或所述衬底10的附加金属化层的通过对应的通孔接触的部分。

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