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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：公开了三维3D存储器件和用于形成3D存储器件的方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括膜堆叠层，该膜堆叠层具有垂直地堆叠在衬底上的多个导电层和电介质层对。每个导电层和电介质层对包括电介质层和导电层。该3D存储器件还包括阶梯区域，该阶梯区域具有形成在膜堆叠层中的第一阶梯结构和第二阶梯结构，其中第一阶梯结构和第二阶梯结构均在第一方向上横向地延伸并且包括多个导电层和电介质层对。阶梯区域还包括连接第一阶梯结构和第二阶梯结构的阶梯桥。
主权项：1.一种三维3D存储器件，包括：膜堆叠层，所述膜堆叠层包括垂直堆叠的多个导电层和电介质层对，其中，每个导电层和电介质层对包括电介质层和导电层；顶部选择栅TSG切口，所述TSG切口沿第一方向延伸且垂直穿过所述膜堆叠层的上部分；以及第一阶梯区域，所述第一阶梯区域包括：第一阶梯结构；第二阶梯结构，其中，所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构均在所述第一方向上横向地延伸，并且包括所述多个导电层和电介质层对；以及连接所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构的第一阶梯桥，其中，所述第一阶梯区域在所述三维存储器件的存储阵列的中间，所述第一阶梯桥沿第二方向的宽度小于相邻的TSG切口之间距离的两倍，所述第二方向垂直于所述第一方向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于三维存储器中的字线触点的阶梯结构
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