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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：公开的等离子体处理装置包括第一挡板和第二挡板。第一挡板和第二挡板在腔室内配置于处理空间与排气空间之间。第二挡板相对于第一挡板设置在腔室内的气体的气流的下流侧。在向腔室内的基片支承部周期性地施加的电偏置能量的波形周期内的至少一部分期间，向第二挡板施加的电压的值高于向第一挡板施加的电压的值。
主权项：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：腔室；设置在所述腔室内的基片支承部；构成为能够在所述腔室内从气体生成等离子体的等离子体生成部；构成为能够向所述基片支承部周期性地供给具有波形周期的电偏置能量的偏置电源；配置在所述腔室内的第一挡板和第二挡板；与所述第一挡板电连接的第一电源；以及与所述第二挡板电连接的第二电源，所述第一挡板配置于所述腔室内的处理空间与所述第二挡板之间，其中，所述处理空间是用于在该空间中处理配置在所述基片支承部上的基片的空间，所述第二挡板配置于连接排气系统的所述腔室内的排气空间与所述第一挡板之间，在所述波形周期内的至少一部分期间，由所述第二电源向所述第二挡板施加的电压的值，高于由所述第一电源向所述第一挡板施加的电压的值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
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