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申请/专利权人：中科南京智能技术研究院
摘要：本发明公开了一种用于SRAM内部的时序调控电路及其控制方法，属于半导体存储器技术领域，所述时序调控电路包括：触发信号生成模块以及控制信号输出模块；所述触发信号生成模块用于生成不同时序的电平触发信号，其包括信号锁存单元以及延时单元；所述信号锁存单元输入时钟信号和电平信号，并在时钟信号触发沿对电平信号进行输出；所述延时单元用于对所述信号锁存单元输出的电平信号进行多级延时；所述控制信号输出模块输入读选择信号LCST以及不同时序的电平触发信号，输出控制灵敏放大器电路工作的控制信号，通过将信号锁存单元与延时单元结合，生成不同时序的电平触发信号，从而输出对SRAM内部其他电路的控制信号，实现了对SRAM内部时序的精确控制。
主权项：1.一种用于SRAM内部的时序调控电路，其特征在于，包括：触发信号生成模块（1）以及控制信号输出模块（2）；所述触发信号生成模块（1）用于生成不同时序的电平触发信号，其包括信号锁存单元（11）以及延时单元；所述信号锁存单元（11）输入时钟信号和电平信号，并在时钟信号触发沿对电平信号进行输出；所述延时单元用于对所述信号锁存单元（11）输出的电平信号进行多级延时；所述控制信号输出模块（2）输入读选择信号LCST以及不同时序的电平触发信号，输出控制灵敏放大器电路工作的控制信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中科南京智能技术研究院 一种用于SRAM内部的时序调控电路及其控制方法
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