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申请/专利权人：郑州大学;国家纳米科学中心
摘要：本发明属于有机自旋电子学领域，涉及一种有机自旋阀器件、制备方法和基于有机自旋阀器件的自旋界面调控方法，用以解决室温下器件界面效应难以精确控制导致难以实现其高性能和高稳定性的问题。所述器件包括依次设置的衬底、铁磁底电极、自旋界面层、有机半导体层和铁磁顶电极，自旋界面层为厚度1‑2纳米金属氟化物，覆盖率为0‑60%（不包含0%）。本发明通过主动改变覆盖率，成功调控了自旋界面层与底电极之间的新自旋过滤效应，从而与底电极本体的自旋过滤效应发生竞争，进而改变底电极与自旋界面层界面处的自旋分辨态密度，室温下实现连续调控磁阻信号和自旋极化率。
主权项：1.一种有机自旋阀器件，其特征在于：包括依次设置的衬底、铁磁底电极、自旋界面层、有机半导体层和铁磁顶电极，其中铁磁底电极与铁磁顶电极具有不同的矫顽力；所述自旋界面层为金属氟化物层，其厚度为1-2纳米，1-1.5纳米时自旋界面层对铁磁底电极的覆盖率为0＜覆盖率≤40%，1.5-2纳米时自旋界面层对铁磁底电极的覆盖率为40%≤覆盖率≤60%。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 郑州大学 国家纳米科学中心 一种有机自旋阀器件、制备方法和基于有机自旋阀器件的自旋界面调控方法
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