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申请/专利权人：中芯南方集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种套刻补偿方法及装置、存储介质、电子设备。所述方法包括：获取第一初始层对应的初始前馈补偿数据及反馈补偿数据；获取所述第一初始层的对准信息，并基于所述第一初始层的对准信息，确定对准方式；所述第一初始层的对准信息包括：对准层的标识信息；当对准方式为直接对准方式时，基于所述第一初始层的对准信息，得到所述第一初始层的对准补偿数据，将所述初始前馈补偿数据与所述对准补偿数据之间的差值，作为所述第一初始层的前馈补偿数据；利用所述第一初始层的前馈补偿数据及反馈补偿数据，对所述第一初始层进行套刻补偿，在所述第一初始层形成相应的光刻图形。采用上述方案，可以提升套刻精度。
主权项：1.一种套刻补偿方法，其特征在于，包括：提供待补偿晶圆；所述待补偿晶圆上具有套刻参考层及位于所述套刻参考层上的第一初始层；获取第一初始层对应的初始前馈补偿数据及反馈补偿数据；所述初始前馈补偿数据为套刻参考层的实际补偿数据，所述反馈补偿数据为第一初始层在进行套准测试时得到的反馈补偿数据；获取所述第一初始层的对准信息，并基于所述第一初始层的对准信息，确定对准方式；所述第一初始层的对准信息包括：对准层的标识信息；当对准方式为直接对准方式时，基于所述第一初始层的对准信息，得到所述第一初始层的对准补偿数据，将所述初始前馈补偿数据与所述对准补偿数据之间的差值，作为所述第一初始层的前馈补偿数据；利用所述第一初始层的前馈补偿数据及反馈补偿数据，对所述第一初始层进行套刻补偿，在所述第一初始层形成相应的光刻图形。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯南方集成电路制造有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 套刻补偿方法及装置、存储介质、电子设备
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