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申请/专利权人：晶能光电股份有限公司
摘要：本发明提供了应用于ADB的LED大灯及其制备方法，LED大灯包括具备反射性能的金属隔离件，于第一反射胶层表面、嵌入LED芯片表面光转换层之间的隔离槽中，且金属隔离件的上表面不高于光转换层的上表面，光转换层的上表面为远离LED芯片发光上面的一侧表面。有利于解决更小间距下的串光问题，且制备工艺简单，相对于ALD侧面镀膜的方案来说，本工艺更加简单高效，有利于更快地实现批量化生产，从而提高生产效率和降低成本。
主权项：1.一种应用于ADB的LED大灯，其特征在于，包括：以预先设定的间距阵列排布、并固定于布线基板表面的多颗LED芯片；各LED芯片具有发光上面和发光侧面，与发光上面相对的表面还设有芯片电极，且所述LED芯片的发光上面朝上配置；于布线基板表面、填充于LED芯片之间的第一反射胶层，所述第一反射胶层的上表面不高于LED芯片发光上面所在的平面，所述第一反射胶层的上表面为远离芯片电极的一侧表面；形成于各LED芯片表面的光转换层，所述光转换层至少覆盖对应LED芯片的发光上面，且至少于相邻LED芯片表面的光转换层之间形成有隔离槽，露出LED芯片之间第一反射胶层的上表面；具备反射性能的金属隔离件，嵌入于第一反射胶层表面、LED芯片表面光转换层之间的隔离槽中，且所述金属隔离件的上表面不高于所述光转换层的上表面，所述光转换层的上表面为远离LED芯片发光上面的一侧表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶能光电股份有限公司 应用于ADB的LED大灯及其制备方法
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