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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：鳍结构表面氧化层均匀化的方法，包含：S1：在鳍结构的中间生成的浅道隔离层被第一次化学机械抛光后第一硬掩模层被暴露出来后，继续对浅道隔离层进行凹陷去除，且将第一硬掩模层的底部部分的去除形成凹槽；S2：对凹槽进行侧面氧化，凹槽对应鳍结构的顶面‑侧面转角处比其他部分更容易氧化。据此，对凹槽先进行侧面氧化，由于有顶面上覆盖有第一硬掩模层，凹槽对应的部分被氧化，从而抵消了由于在不同晶面处具有不同的氧化速率效应导致的鳍的转角处的厚度小于顶面的厚度的缺陷，从而使得最终生成的表面氧化层基本相同的（在鳍结构顶面、转角、侧面都相同），氧化层的均匀性提高，器件的可靠性提高，降低了漏电的可能性。
主权项：1.一种鳍结构表面氧化层均匀化的方法，其特征在于，包含以下步骤：SP1：在硅衬底上形成垫氧化层，在垫氧化层上形成第一硬掩膜层，图案化该第一硬掩膜层，再以图案化后的第一硬掩膜层为基础刻蚀形成鳍结构；SP2：在鳍结构的侧壁、鳍结构之间的槽底上沉积形成第一氧化层，再在第一氧化层上沉积第二硬掩膜层；SP3：沉积形成浅沟槽隔离层；S1：对生成的浅沟槽隔离层进行第一次化学机械抛光，使第一硬掩模层被暴露出来后，继续对浅沟槽隔离层进行凹陷去除，且将第一硬掩模层的底部处的浅沟槽隔离层、第二硬掩膜层及部分第一氧化层去除，形成凹槽；S2：对凹槽进行侧面氧化，凹槽对应鳍结构的顶面-侧面转角处比其他部分更容易氧化；SR1：去除第一硬掩膜层；SR2：对浅沟槽隔离层进行第二次化学机械抛光，将覆盖鳍结构的垫氧化层-第一氧化层、第二硬掩膜层、浅沟槽隔离层都去除至同一深度，至鳍结构部分地露出，形成槽，槽底存在未被去除的浅沟槽隔离层、第一氧化层及第二硬掩膜层；SR3：对露出的鳍结构进行氧化工艺以形成表面氧化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 鳍结构表面氧化层均匀化的方法
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