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发光二极管芯片 

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申请/专利权人:首尔伟傲世有限公司

摘要:本发明揭示一种发光二极管芯片,包括:基板;发光构造体,配置于基板上,包括第一导电型半导体层及配置到第一导电型半导体层的一部分区域上的台面;透明电极,配置于台面上;接触电极,配置第一导电型半导体层上;第一绝缘反射层,覆盖发光构造体、透明电极及接触电极的至少一部分;第一焊垫电极,配置于透明电极的上部区域及位于第一绝缘反射层上,并电连接到接触电极;第二焊垫电极,配置于透明电极的上部区域及电连接到接触电极;以及第二绝缘反射层,配置到基板的下部,其中第一及第二绝缘反射层的至少一者具有至少两个区域具有不同反射率的特性。本发明可利用第一绝缘反射层反射朝向焊垫电极侧行进的光,从而可减少因金属层产生的光损耗。

主权项:1.一种发光二极管芯片,其特征在于,包括:基板;发光构造体,配置于所述基板上,所述发光构造体包括第一导电型半导体层及配置到所述第一导电型半导体层的一部分区域上的台面;透明电极,配置于所述台面上;电流扩散器,配置于所述透明电极上;接触电极,配置所述第一导电型半导体层上;第一绝缘反射层,覆盖所述发光构造体、所述透明电极、所述接触电极及所述电流扩散器的至少一部分;第一焊垫电极,配置于所述透明电极的上部区域及位于所述第一绝缘反射层上,并电连接到所述接触电极;第二焊垫电极,配置于所述透明电极的所述上部区域及所述第一绝缘反射层上,并电连接到所述电流扩散器;以及第二绝缘反射层,配置到所述基板的下部,其中,所述第一绝缘反射层及所述第二绝缘反射层的至少一者具有至少两个区域具有不同反射率的特性,其中,所述第一焊垫电极沿横向与所述电流扩散器隔开以不与所述电流扩散器重叠,其中,所述第二焊垫电极与所述接触电极沿横向隔开以不与所述接触电极重叠,并且所述第二焊垫电极不向所述台面与所述接触电极之间的区域延伸。

全文数据:

权利要求:

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