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申请/专利权人:三星电子株式会社
摘要:提供了VFET器件。一种VFET器件包括基板,该基板包括第一突出部和第二突出部。该VFET器件包括位于第一突出部和第二突出部之间的隔离区域。该VFET器件包括分别位于第一突出部和第二突出部上的第一硅化物区域和第二硅化物区域。此外,该VFET器件包括位于第一硅化物区域和第二硅化物区域上的接触部。还提供了形成VFET器件的相关方法。
主权项:1.一种垂直场效应晶体管VFET器件,包括:基板,所述基板包括多个竖直突出部;多个隔离区域,交替布置在所述多个竖直突出部之间;所述多个竖直突出部的顶面和侧壁上的多个硅化物区域;以及所述多个硅化物区域上的接触部,所述接触部从所述多个硅化物区域的在所述多个竖直突出部的第一竖直突出部上的第一硅化物区域的顶部连续延伸到所述多个硅化物区域的在所述多个竖直突出部的第二竖直突出部上的第二硅化物区域的顶部。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 三星电子株式会社 在基板的突出部上包括接触部的垂直FET器件
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