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申请/专利权人：珠海英集芯半导体有限公司
摘要：本实用新型公开了一种基于CascodeGaNFET的低功耗电源，包括变压器T1、共源共栅氮化镓场效应管QM、芯片以及供电电路；变压器T1初级绕组的一端与外部电源的一端连接；共源共栅氮化镓场效应管QM的漏极与变压器T1初级绕组的另一端连接、栅极与芯片连接以及源极与外部电源的另一端连接，共源共栅氮化镓场效应管QM用于为供电电路提供输出电压Vm；供电电路的输出端与芯片连接，用于为芯片提供输出电压VDD；通过上述结构能够将高压上电电路省去，降低了待机状态下的功耗和电路的复杂度，巧妙地利用共源共栅氮化镓场效应管的漏源电压对芯片进行供电，还省去了单独的上电电路，对于各种采用氮化镓开关管的开关电源均有实用价值。
主权项：1.一种基于CascodeGaNFET的低功耗电源，其特征在于：包括变压器T1、共源共栅氮化镓场效应管QM、芯片10以及供电电路20；所述变压器T1初级绕组的一端与外部电源的一端连接；所述共源共栅氮化镓场效应管QM的漏极与所述变压器T1初级绕组的另一端连接、栅极与所述芯片10连接以及源极与外部电源的另一端连接，所述共源共栅氮化镓场效应管QM用于为所述供电电路20提供输出电压Vm；所述供电电路20的输出端与所述芯片10连接，用于为所述芯片10提供输出电压VDD。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海英集芯半导体有限公司 一种基于Cascode GaNFET的低功耗电源
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