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申请/专利权人：珠海天成先进半导体科技有限公司
摘要：本发明提供一种高密度互连转接基板结构及制备方法，在涂覆有光敏树脂胶的第一基体上光刻和金属化形成第一凸台；在第二基体上涂覆粘接层，将具有第一凸台的第一基体和所述第二基体键合；将第一基体减薄并涂覆光敏树脂胶，在涂覆光敏树脂胶的第一基体上曝光形成TSV图形，对曝光形成TSV图形进行刻蚀形成TSV盲孔，对TSV盲孔填充形成TSV结构；对TSV结构进行抛光使其表面平坦化；对平坦化后的所述TSV结构中的第一基体刻蚀后，在第二基体上进行填充固化形成第三基体，将所述第三基体减薄至TSV结构露出；在第三基体上涂覆光敏树脂胶，在涂覆有光敏树脂胶的第三基体上光刻和金属化形成第二凸台后，去除第二基体，形成高密度互连转接基板结构。
主权项：1.一种高密度互连转接基板结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一基体10上形成扩散阻挡层21，在所述扩散阻挡层21上形成种子层22，在所述种子层22上涂覆光敏树脂胶30，在涂覆有光敏树脂胶30的第一基体10上光刻和金属化形成第一凸台41；在第二基体60上涂覆粘接层50，将具有第一凸台41的第一基体10和所述第二基体60键合；将第一基体10减薄并涂覆光敏树脂胶30，在涂覆光敏树脂胶30的第一基体10上曝光形成TSV图形，对曝光形成TSV图形进行刻蚀形成TSV盲孔42，对TSV盲孔42填充形成TSV结构43；对TSV结构43进行抛光使其表面平坦化；对平坦化后的所述TSV结构43中的第一基体10刻蚀后，在第二基体上进行填充固化形成第三基体70，将所述第三基体70减薄至TSV结构43露出；在第三基体70上涂覆光敏树脂胶30，在涂覆有光敏树脂胶30的第三基体70上光刻和金属化形成第二凸台44后，去除第二基体60，形成高密度互连转接基板结构。
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权利要求：
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