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申请/专利权人：苏州航新恒咨询管理合伙企业(有限合伙)
摘要：本发明公开了一种高性能硅晶圆材料及其制备工艺，涉及硅晶圆技术领域，所述高性能硅晶圆材料的原料包括区熔法硅晶棒，区熔法硅晶棒即采用区域熔融法对半导体棒料进行生长提纯的硅晶棒。该高性能硅晶圆材料及其制备工艺，利用区域熔融法制备的硅晶棒在制备过程中无需使用到坩埚，由于杂质分凝和蒸发效应可以生长出高电阻率的硅晶棒，硅柱通过其表面因切割产生的线槽使得各未分离的硅片正好卡入研磨夹具顶面的凹槽内，并借由硅柱的自转使其边缘处于凹槽内表面之间发生摩擦，以实现对硅片边缘处的研磨，使其边缘光滑化，由此实现硅片分割和硅片边缘处研磨作业合二为一，从而大大降低设备的空间占用率和设备成本，并大幅提高硅晶圆的制备效率。
主权项：1.一种高性能硅晶圆材料，其特征在于：所述高性能硅晶圆材料的原料包括区熔法硅晶棒，区熔法硅晶棒即采用区域熔融法对半导体棒料进行生长提纯的硅晶棒。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州航新恒咨询管理合伙企业(有限合伙) 一种高性能硅晶圆材料及其制备工艺
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