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申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶锭的切割方法以及切割装置，其中，切割方法包括：利用激光照射第一碳化硅晶锭的上表面，以在第一碳化硅晶锭的内部形成改质层，得到第二碳化硅晶锭，其中，改质层将第二碳化硅晶锭分为上部分和下部分；获取第二碳化硅晶锭的负载固有频率；将第二碳化硅晶锭的上表面粘附在超声波发生器上；根据负载固有频率设定超声波发生器的输出频率并启动超声波发生器，使第二碳化硅晶锭的上部分和下部分分离，获得碳化硅晶片。本发明能够结合激光照射和超声波振动切割技术实现对碳化硅晶锭非接触式、高精度的切割，不仅提高了切割效率和质量，同时降低了材料损耗。
主权项：1.一种碳化硅晶锭的切割方法，其特征在于，包括：利用激光照射第一碳化硅晶锭的上表面，以在所述第一碳化硅晶锭的内部形成改质层，得到第二碳化硅晶锭，其中，所述改质层将所述第二碳化硅晶锭分为上部分和下部分；获取所述第二碳化硅晶锭的负载固有频率；将所述第二碳化硅晶锭的上表面粘附在超声波发生器上；根据所述负载固有频率设定超声波发生器的输出频率并启动所述超声波发生器，使所述第二碳化硅晶锭的上部分和下部分分离，获得碳化硅晶片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 一种碳化硅晶锭的切割方法以及切割装置
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