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申请/专利权人：成都信息工程大学
摘要：一种低线宽的低温烧结旋磁铁氧体移相器基板及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述的铁氧体基板材料为Ni0.18Cu0.2Zn0.62Bi0.02Fe1.98O4‑纳米LiZn尖晶石型旋磁铁氧体以下简称为NCZB‑纳米LiZn材料，本发明提供一种热压烧结工艺，制备具有低线宽的低温烧结旋磁铁氧体移相器基板。在材料配方上，采用Bi3+离子取代NiCuZn铁氧体，实现铁氧体的低温烧结特性。此外，为了进一步获得更低的线宽，采用纳米LiZn铁氧体掺杂，进一步优化NiCuZn铁氧体的铁磁共振线宽，并结合热压烧结工艺控制晶粒生长，最终获得低线宽的低温烧结旋磁铁氧体移相器基板材料。满足微波移相器在5G6G通信基站、有源相控阵雷达的广泛应用需求。
主权项：1.一种低线宽的低温烧结旋磁铁氧体移相器基板及其制备方法，其特征在于，所述铁氧体材料为Ni0.18Cu0.2Zn0.62Bi0.02Fe1.98O4-纳米LiZn尖晶石型铁氧体以下简称为NiCuZnBi-纳米LiZn材料，采用热压烧结工艺，制备一种低线宽的低温烧结旋磁铁氧体移相器基板。
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百度查询： 成都信息工程大学 一种低线宽的低温烧结旋磁铁氧体移相器基板及其制备方法
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