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申请/专利权人：韦尔通科技股份有限公司
摘要：本发明属于新能源领域，具体涉及一种导热银膏及制备方法和应用以及碳化硅芯片和基板的连接方法。所述导热银膏中含有质量比为100:0.3～4.5:5～40:0.1～1.5:0.1～1.5的片状银粉、片状石墨粉、含氧溶剂、粘接剂和分散剂；所述片状银粉的粒径D50为0.1～10μm；所述片状石墨粉的粒径D10为5μm以上，粒径D50为10～20μm，粒径D90为25μm以下。采用该导热银膏经压力烧结工艺将碳化硅芯片和基板连接在一起时，所得烧结层兼具有内应力小以及导热性能好的优势。
主权项：1.一种导热银膏，其特征在于，所述导热银膏中含有质量比为100:0.3～4.5:5～40:0.1～1.5:0.1～1.5的片状银粉、片状石墨粉、含氧溶剂、粘接剂和分散剂；所述片状银粉的粒径D50为0.1～10μm；所述片状石墨粉的粒径D10为5μm以上，粒径D50为10～20μm，粒径D90为25μm以下。
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权利要求：
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