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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种光刻机作业后通孔缺陷检测的方法，提供由多尺寸全密集孔图形填充的光罩，光罩上具有多个不同的区域，不同区域中填充的密集孔图形的尺寸不同；在裸晶圆上形成光刻胶层，利用光罩图形化光刻胶层；通过宏观目检确认图形化后的光刻胶层的色差判断开孔是否正常：若存在异常色差的位置，则判断该处微观下开孔不良；若无异常色差的位置，则判断该处微观下开孔正常。本发明使光刻机作业后宏观目检孔缺失缺陷变为可能；同时包含多尺寸孔图形的设计可以方便的模拟不同平台制品作业情况采用不同的光刻胶和曝光参数即可。
主权项：1.一种光刻机作业后通孔缺陷检测的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供由多尺寸全密集孔图形填充的光罩，所述光罩上具有多个不同的区域，不同所述区域中填充的所述密集孔图形的尺寸不同；步骤二、在裸晶圆上形成光刻胶层，利用所述光罩图形化所述光刻胶层；步骤三、通过宏观目检确认图形化后的所述光刻胶层的色差判断开孔是否正常：若存在异常色差的位置，则判断该处微观下开孔不良；若无异常色差的位置，则判断该处微观下开孔正常。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 光刻机作业后通孔缺陷检测的方法
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