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申请/专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
摘要：本申请提供了一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括：发光外延层包括依次层叠的第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；绝缘层形成于所述发光外延层上，包括第一通孔和第二通孔；焊盘电极形成于所述绝缘层上，所述焊盘电极包括第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极通过所述第一通孔与所述第一导电类型半导体层电连接，所述第二焊盘电极通过所述第二通孔与所述第二导电类型半导体层电连接；其中，所述绝缘层在第一波段的反射率大于90％，所述绝缘层在第二波段的反射率小于15％，所述第一波段为430nm～500nm，所述第二波段为1000nm～1100nm。本申请通过增大焊盘电极与绝缘层的接触面积，从而增加绝缘层与焊盘电极接触的表面积提高绝缘层与焊盘电极的粘附性。
主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，包括：发光外延层，包括依次层叠的第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；绝缘层，形成于所述发光外延层上，包括第一通孔和第二通孔；焊盘电极，形成于所述绝缘层上，所述焊盘电极包括第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极通过所述第一通孔与所述第一导电类型半导体层电连接，所述第二焊盘电极通过所述第二通孔与所述第二导电类型半导体层电连接；其中，所述绝缘层在第一波段的反射率大于90％，所述绝缘层在第二波段的反射率小于15％，所述第一波段为430nm～500nm，所述第二波段为1000nm～1100nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 泉州三安半导体科技有限公司 发光二极管及发光装置
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