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申请/专利权人：北京理工大学
摘要：一种基于残差网络模型的CMOS集约模型参数提取方法，利用蒙特卡罗方法生成足量参数集进行SPICE仿真，获得的模型训练数据集用于训练和验证残差网络模型。训练后的残差网络模型能够实现快速、精确的CMOS晶体管集约模型参数提取，克服手动拟合提取参数操作复杂、速度和精度低的缺陷。本发明的实现包括四个步骤：S1.利用蒙特卡罗方法生成CMOS集约模型参数集；S2.获得残差网络模型所需要的训练数据集；S3.训练残差网络模型；S4.利用残差网络模型提取集约模型参数。应用本发明可实现快速、精确的CMOS晶体管集约模型参数提取，有效解决手动拟合中的操作问题，有助于预测集成电路产品良率并缩短研发周期，为EDA软件的开发和完善提供帮助。
主权项：1.基于残差网络模型的CMOS集约模型参数提取方法，其特征在于，按如下步骤操作实现：S1.利用蒙特卡罗方法生成CMOS集约模型参数集：在集约模型中确定要提取的关键参数及提取顺序，通过手动拟合调整关键参数取值，使得SPICE仿真得到的电学特性曲线与从TCAD仿真或晶体管实验数据中获得的目标电学特性曲线误差控制在3%以内，确定关键参数取值后，在该确定值周围利用蒙特卡罗方法生成大量新参数集；S2.获得残差网络模型所需要的训练数据集：将S1中生成的新参数集导入集约模型中，利用SPICE软件进行仿真，获得每组新参数对应的集约模型电学特性曲线；将电学特性曲线数据作为残差网络模型输出层，特性曲线对应的参数组作为残差网络模型输入层，得到用于模型训练的数据集；S3.训练残差网络模型：将S2中得到的模型训练数据集分为两部分，其中大部分数据集作为训练集，小部分数据集作为验证集；使用训练集训练残差网络模型后，通过验证集评估模型训练效果；S4.利用残差网络模型提取集约模型参数：训练好模型后，将TCAD仿真或晶体管实验数据中获得的I-V电学特性曲线作为残差网络模型的输入，模型可在非常短的时间内提取电学特性曲线对应的集约模型参数。
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百度查询： 北京理工大学 一种基于残差网络模型的CMOS集约模型参数提取方法
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