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申请/专利权人:荣湃半导体(上海)有限公司
摘要:本发明涉及电子技术领域,具体涉及一种低跨导分段高摆率的跨导运算放大器。包括,运算放大部,对一输入压差进行运算放大自一电压输出端输出输出电压;电流镜部,连接运算放大部,基于输入压差为输出电压提供摆率增益,电流镜部包括,一下拉电流镜和一上拉电流镜,下拉电流镜的输入端连接第一MOS管的漏极,下拉电流镜的输出端连接运算放大部的电压输出端;上拉电流镜的输入端连接第三MOS管的漏极,下拉电流镜的输出端连接运算放大部的电压输出端。本发明通过提供高摆率电流镜来实现大的摆率和小的跨导,从而降低负反馈环路对于阶跃响应的大信号摆率时间,同时不影响环路稳定性。
主权项:1.一种低跨导分段高摆率的跨导运算放大器,其特征在于,包括,运算放大部(1),对一输入压差(vin)进行运算放大自一电压输出端输出输出电压(vo);电流镜部(2),连接所述运算放大部(1),基于所述输入压差(vin)为所述输出电压(vo)提供摆率增益,所述电流镜部(2)包括,第一MOS管(M1),所述第一MOS管(M1)的源极连接一电压源(vdd),所述第一MOS管(M1)的栅极连接所述运算放大部(1)的第一输出级MOS管的栅极;第二MOS管(M2),所述第二MOS管(M2)的漏极连接所述第一MOS管(M1)的漏极,所述第二MOS管(M2)的栅极连接所述运算放大部(1)的第二输出级MOS管的栅极,所述第二MOS管(M2)的源极接地;第三MOS管(M3),所述第三MOS管(M3)的栅极连接所述第二MOS管(M2)的栅极,所述第三MOS管(M3)的源极接地;第四MOS管(M4),所述第四MOS管(M4)的源极连接所述电压源(vdd),所述第四MOS管(M4)的栅极连接所述第一MOS管(M1)的栅极,所述第四MOS管(M4)的漏极连接所述第三MOS管(M3)的漏极;下拉电流镜(21),所述下拉电流镜(21)的输入端连接所述第一MOS管(M1)的漏极,所述下拉电流镜(21)的输出端连接所述运算放大部(1)的所述电压输出端;上拉电流镜(22),所述上拉电流镜(22)的输入端连接所述第三MOS管(M3)的漏极,所述下拉电流镜(21)的输出端连接所述运算放大部(1)的所述电压输出端。
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