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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本公开提供了一种量子点‑石墨烯探测器及其制备方法，应用于半导体技术领域，该方法包括：通过负胶光刻工艺在氧化硅片衬底的一边上蒸镀金属底电极；通过负胶光刻工艺在该金属底电极上溅射氧化镍层；在该氧化镍层转移单层石墨烯层；通过正胶光刻工艺和氧等离子体刻蚀进行该石墨烯层的图形化，使该石墨烯层覆盖部分该氧化镍层的表面以及该氧化硅衬底的另一边的表面；在该石墨烯层通过负胶光刻工艺蒸镀金属顶电极，得到预备探测器；在该预备探测器的上表面旋涂量子点膜。可以抑制石墨烯暗电流。
主权项：1.一种量子点-石墨烯探测器的制备方法，其特征在于，包括：通过负胶光刻工艺在氧化硅片衬底的一边上蒸镀金属底电极；通过负胶光刻工艺在所述金属底电极上溅射氧化镍层；在所述氧化镍层转移单层石墨烯；通过正胶光刻工艺和氧等离子体刻蚀进行所述石墨烯层的图形化，使所述石墨烯层覆盖部分所述氧化镍层的表面以及所述氧化硅衬底的另一边的表面；在所述石墨烯层上通过负胶光刻工艺蒸镀金属顶电极，得到预备探测器；在所述预备探测器的上表面旋涂量子点膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 量子点-石墨烯探测器及其制备方法
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