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申请/专利权人：湘潭大学
摘要：本发明公开了一种常压烧结制备Si3N4—Si2N2O基透波陶瓷材料的方法，首先，通过Si粉和SiO粉末烧结制备Si2N2O粉末，再对其进行分散均匀化，使其形成凝胶态液，然后在凝胶态液中加入引发剂，在相应模腔内发生物理化学反应原位形成高强度坯体，再对此坯体进行预烧结，使得Si2N2O小部分分解得到Si3N4，最后在氮气氛围下高温常压烧结，抑制Si2N2O的分解，使其致密化。本发明通过“先烧粉+再烧结”的方法实现高纯度的氮氧化硅粉末制备，并通过两步烧结工艺制备出Si3N4—Si2N2O基透波陶瓷，在保留Si2N2O优异的透波性能同时引入Si3N4良好的机械性能，最终实现耐高温透波陶瓷材料的制备。
主权项：1.一种常压烧结制备Si3N4-Si2N2O基透波陶瓷材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.将原材料Si粉和SiO粉末按质量比均匀混合，抽真空后再通入N2，于1400～1450℃烧结后得到粗粉，再加入酒精、分散剂研磨后得到Si2N2O粉末；S2.将Si2N2O粉末和烧结助剂与有机物混合，使其形成凝胶态液；S3.在凝胶态液中加入引发剂，形成坯体；S4.对胚体预烧结处理：从40℃升温至150～160℃，加热速率0.5～3℃min，保温10～20min；从200℃升温至350～400℃，加热速率3～7℃min，保温20～30min；从420℃升温至750～800℃，加热速率3～7℃min，保温10～20min；加热速率3～7℃min，最终在1100～1300℃保温0.5～1h。S5.将预烧结后的坯体进行高温常压烧结：在0.02～0.05MPa下N2氛围保护下，以3～7℃min的升温速率升至550～600℃；10℃min的升温速率至950～1000℃，3～7℃min的升温速率至1400℃～1600℃，保温1～2h。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湘潭大学 一种常压烧结制备Si3N4-Si2N2O基透波陶瓷材料的方法
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