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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种垂直存储器件可以包括：在基板上的公共源极板，包括第一区域和第二区域；栅极图案结构，在公共源极板上并从第一区域延伸到第二区域，其中栅极图案结构包括栅极图案和第一绝缘层，其中相邻的栅极图案结构彼此间隔开；第一分隔图案，填充在第一区域上在相邻的栅极图案结构之间的第一开口；第二分隔图案，填充在第二区域上在相邻的栅极图案结构之间的第二开口，其中第二分隔图案中的至少一个连接到第一分隔图案中的至少一个，以及其中第二分隔图案具有与第一分隔图案的形状不同的形状；以及沟道结构，穿过在第一区域上的栅极图案结构。
主权项：1.一种垂直存储器件，包括：在基板上的公共源极板，其中所述公共源极板包括第一区域和在所述第一区域周围延伸的第二区域；在所述公共源极板上的多个栅极图案结构，其中所述多个栅极图案结构在平行于所述基板的上表面的第一方向上从所述第一区域延伸到所述第二区域，其中所述多个栅极图案结构中的每个包括交替且重复堆叠的栅极图案和第一绝缘层，其中所述多个栅极图案结构当中的相邻的栅极图案结构在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；多个第一分隔图案，填充在所述第一区域上在所述多个栅极图案结构当中的所述相邻的栅极图案结构之间的多个第一开口，其中所述多个第一分隔图案在所述第一方向上布置；多个第二分隔图案，填充在所述第二区域上在所述多个栅极图案结构当中的所述相邻的栅极图案结构之间的多个第二开口，其中所述多个第二分隔图案在所述第一方向上布置，其中所述多个第二分隔图案当中的第二分隔图案连接到所述多个第一分隔图案当中的第一分隔图案，其中所述第二分隔图案具有与所述第一分隔图案的形状不同的形状；以及多个沟道结构，穿过在所述第一区域上在所述公共源极板上的所述多个栅极图案结构，其中所述多个沟道结构中的每个包括沟道和电荷存储结构。
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