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一种异质结电池制备方法及结构 

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申请/专利权人:江苏瑞昇光能科技有限公司

摘要:本发明针对解决异质结电池生产过程中高银耗问题,提供了一种异质结电池的制备方法,并采用该方法制备异质结电池,其包括以n型或p型单晶硅为衬底,在制绒后线进行FECVD沉积本征非晶硅层和掺杂非晶硅层,然后沉积TCO导电膜,最后印刷正面电极和背面电极,对焊盘的电极网板图形局部镂空处理,采用镂空多边形图形印刷正面电极和背面电极,在不影响焊接拉力前提下,降低电极银浆耗量,降低生产成本。

主权项:1.一种异质结电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:S1、对单晶硅衬底10的正面进行清洗和制绒,在所述正面形成陷光绒面;S2、在清洗与制绒后的单晶硅衬底10的正面和背面分别沉积本征非单晶硅层20;S3、在单晶硅衬底10的正面的本征非单晶硅层20上沉积第一非晶硅层30,在背面的本征非单晶硅层20上沉积第二非晶硅层40;S4、在单晶硅衬底10的正面的第一非晶硅层30上、背面的第二非晶硅层40上分别沉积TCO导电膜50;S5、在单晶硅衬底10的正面的TCO导电膜50上印刷正面电极图形,在单晶硅衬底10的背面的TCO导电膜50上印刷背面电极图形,正面电极图形和背面电极图形均通过丝印网板印刷,在所述丝印网板上设有电极网板图形80,所述电极网板图形80包括有pad点81、主栅82和副栅,在所述pad点81处设置阻挡区域83,并在阻挡区域83内作镂空处理。

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权利要求:

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