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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种超级结器件，包括衬底，在衬底上形成有外延层，外延层上形成至少两个第一沟槽；在第一沟槽的底部形成有第二沟槽；在第二沟槽中形成有P柱，P柱的顶端高于第一沟槽的底端；在P柱上形成有隔离介质层，在第一沟槽的侧壁形成有栅极电介质层；非P柱引出端区域上的第一沟槽中形成有栅极多晶硅层；在外延层上形成的阱区和源区；在外延层上形成接触孔介质层，在接触孔介质层形成有第一至三接触孔，第一接触孔的底端与栅极多晶硅层相连通，第二接触孔的底端与P柱引出端区域中的P柱连通。本发明器件的最小线宽仅由P柱和Mesa区域定义，能够减小元胞尺寸，进一步增加器件集成度。
主权项：1.一种超级结器件，其特征在于，包括：衬底，在所述衬底上形成有外延层，所述外延层上形成至少两个第一沟槽；在所述第一沟槽的底部形成有第二沟槽；在所述第二沟槽中形成有P柱，所述P柱的顶端高于所述第一沟槽的底端；在所述P柱上形成有隔离介质层，在所述第一沟槽的侧壁形成有栅极电介质层；非P柱引出端区域上的所述第一沟槽中形成有栅极多晶硅层；在所述外延层上形成的阱区和源区；在所述外延层上形成接触孔介质层，在所述接触孔介质层形成有第一至三接触孔，所述第一接触孔的底端与所述栅极多晶硅层相连通，所述第二接触孔的底端与P柱引出端区域中的P柱连通；填充所述第一至三接触孔的导电金属。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 超级结器件及其制造方法
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