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申请/专利权人：重庆云潼科技有限公司
摘要：本发明公开了一种VDMOS器件，该器件用于使多个原胞区通电并形成并联状态的Bus走线包括N+衬底层1，N‑外延层2，栅氧层3，第一N型多晶硅层4，第一P型多晶硅层5，第二N型多晶硅层6，第二P型多晶硅层7，第三N型多晶硅层8，以及介质层9。本VDMOS器件在Bus走线中形成第一、二、三N型多晶硅层、第一、二P型多晶硅层，且第一、二P型多晶硅层和第二、三N型多晶硅分别通过接触孔实现与器件的GatePAD区域实现电性连接，实现了器件门极串联2个并联的二极管，实现了器件阈值电压0.6～0.8V的提升；通过对Bus走线结构进行改进，未涉及器件的原胞区、终端区进行改进，提高了器件阈值电压的同时，保持了器件其它参数不变。
主权项：1.一种VDMOS器件，其特征在于，该器件用于使多个原胞区通电并形成并联状态的Bus走线包括：N+衬底层1；N-外延层2，生长于所述衬底层1的一侧；栅氧层3，生长于所述N-外延层2的上侧面；第一N型多晶硅层4，形成于所述栅氧层3的上侧面；第一P型多晶硅层5，与所述第一N型多晶硅层4并列；第二N型多晶硅层6，形成于所述栅氧层3的上侧面，并与所述第一P型多晶硅层5间隔；第二P型多晶硅层7，与所述第二N型多晶硅层6并列；第三N型多晶硅层8，形成于所述栅氧层3的上侧面，并与所述第二P型多晶硅层7间隔；介质层9，覆盖所述第一N型多晶硅层4、所述第一P型多晶硅层5、所述第二N型多晶硅层6、所述第二P型多晶硅层7和所述第三N型多晶硅层8的上侧面，以及所述栅氧层3上侧面裸露的部分；所述介质层9形成有接触孔91，所述接触孔91提供接触空间，实现器件的GatePAD区域和所述第一P型多晶硅层5之间、器件的GatePAD区域和所述第二N型多晶硅层6之间、以及器件的GatePAD区域和所述第二P型多晶硅层7之间的电性连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆云潼科技有限公司 一种VDMOS器件
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